Toshiba DTMOSIV TK16E60W5,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 125-0541
- Herst. Teile-Nr.:
- TK16E60W5,S1VX(S
- Marke:
- Toshiba
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- TK16E60W5,S1VX(S
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- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 15,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | DTMOSIV |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 230 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 130 W |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 4.45mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.16mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
| Höhe | 15.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 125-0541
- Herst. Teile-Nr.:
- TK16E60W5,S1VX(S
- Marke:
- Toshiba
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