Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 15.8 A 130 W, 3-Pin TK16E60W5,S1VX(S TO-220

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RS Best.-Nr.:
125-0541
Herst. Teile-Nr.:
TK16E60W5,S1VX(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

230mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Maximale Verlustleistung Pd

130W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

15.1mm

Länge

10.16mm

Breite

4.45 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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