- RS Best.-Nr.:
- 125-0532
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10A60W,S4VX(M
- Marke:
- Toshiba
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- 125-0532
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10A60W,S4VX(M
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 9,7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220SIS |
Serie | DTMOSIV |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2.7V |
Verlustleistung max. | 30 W |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 4.5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Länge | 10mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Höhe | 15mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.7V |
- RS Best.-Nr.:
- 125-0532
- Herst. Teile-Nr.:
- TK10A60W,S4VX(M
- Marke:
- Toshiba
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