Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 100 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

3.008,00 €

(ohne MwSt.)

3.580,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +1,504 €3.008,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
173-2857
Herst. Teile-Nr.:
TK12P60W,RVQ(S
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-Transistoren, Toshiba


Verwandte Links