Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
896-2640
Herst. Teile-Nr.:
TK10P60W,RVQ(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,7 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

TK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

430 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Verlustleistung max.

80 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

7.18mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.3mm

Ursprungsland:
CN


MOSFET-Transistoren, Toshiba

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