STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 2,4 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
168-6683
Herst. Teile-Nr.:
STD3NK60ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,4 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,6Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

45 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

11,8 nC @ 10 V

Länge

6.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.4mm

Ursprungsland:
MY

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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