STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5,6 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
168-7465
Herst. Teile-Nr.:
STD6NK50ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,6 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

90 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24,6 nC @ 10 V

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

2.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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