STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.2 A 90 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-8050
Herst. Teile-Nr.:
STD4NK100Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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