STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD4NK100Z N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 2,2 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 165-8050
Herst. Teile-Nr.:: STD4NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD4NK100Z N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 2,2 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 165-8050
Herst. Teile-Nr.:: STD4NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,2 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6,8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	90 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.4mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V