STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60T4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 687-5181
Herst. Teile-Nr.:: STD1NK60T4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60T4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 687-5181
Herst. Teile-Nr.:: STD1NK60T4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 1A 600V SuperMESH DPAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Gate-Schwellenspannung min.	2.25V
Verlustleistung max.	30 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7 nC @ 10 V
Höhe	2.4mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD1NK60T4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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