Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49,2 A 400 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
125-0577P
Herst. Teile-Nr.:
TK49N65W5,S1F(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

49,2 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

DTMOSIV

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

57 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

400 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5.02mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

185 nC @ 10 V

Länge

15.94mm

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

Höhe

20.95mm


MOSFET-Transistoren, Toshiba

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