Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5,2 A 60 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 125-0583P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK5Q65W,S1Q(S
- Marke:
- Toshiba
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*
13,35 €
(ohne MwSt.)
15,90 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,267 € |
| 100 - 240 | 0,26 € |
| 250 - 490 | 0,253 € |
| 500 + | 0,247 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 125-0583P
- Herst. Teile-Nr.:
- TK5Q65W,S1Q(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,22 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 2.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.65mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,5 nC @ 10 V | |
| Höhe | 7.12mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.7V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,22 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 2.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.65mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10,5 nC @ 10 V | ||
Höhe 7.12mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.7V | ||