Infineon CoolMOS™ C3 SPU07N60C3BKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 168-8581
Herst. Teile-Nr.:: SPU07N60C3BKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C3 SPU07N60C3BKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 80)

1,297 €

(ohne MwSt.)

1,543 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
80 - 80	1,297 €	103,76 €
160 - 320	1,232 €	98,56 €
400 +	1,109 €	88,72 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-8581
Herst. Teile-Nr.:: SPU07N60C3BKMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,3 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS™ C3
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	2.41mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	21 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	6.22mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V