Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 168-8581
Herst. Teile-Nr.:: SPU07N60C3BKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Herst. Teile-Nr.:: SPU07N60C3BKMA1
Marke:: Infineon

SPD07N60C3, SPU07N60C3, CoolMOS Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,3 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS™ C3
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.73mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	21 nC @ 10 V
Breite	2.41mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	6.22mm

Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 83 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

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