Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 63 A 140 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
650-4867
Herst. Teile-Nr.:
IRLU3110ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

63 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 4,5 V

Breite

2.3mm

Höhe

6.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 63A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLU3110ZPBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET wurde für industrielle Anwendungen entwickelt und zeigt beeindruckende Fähigkeiten für die Automatisierung und elektrische Systeme. Seine Enhancement-Mode-Transistorstruktur erhöht die Effizienz und nutzt moderne Verarbeitungstechniken, um effektive Ergebnisse zu erzielen. Die Spezifikationen machen es zu einem unverzichtbaren Werkzeug für Benutzer, die eine zuverlässige Leistung in unterschiedlichen Umgebungen suchen.

Eigenschaften und Vorteile


• Extrem niedriger RDS(on) für verbesserte Energieeffizienz
• Unterstützt einen hohen Dauerstrom von bis zu 63A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V
• Außergewöhnliche thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die Reaktionsfähigkeit des Systems
• Widerstandsfähig gegen sich wiederholende Lawinenbedingungen für mehr Zuverlässigkeit

Anwendungsbereich


• Einsatz in leistungselektronischen Umrichtern
• Geeignet für Motorsteuerungssysteme
• Ideal für Schaltregler und Wechselrichter
• Eingesetzt in Schaltungen, die eine hohe Strombelastung erfordern
• Einsatz in Energiemanagementsystemen in Industrieanlagen

Was sind die idealen Betriebsbedingungen für diesen MOSFET?


Er arbeitet effizient bei Temperaturen zwischen -55°C und +175°C und ist somit auch unter extremen Bedingungen vielseitig einsetzbar.

Wie wirkt sich der RDS(on) auf die Effizienz aus?


Der extrem niedrige RDS(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs, was zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einer verbesserten Schaltungseffizienz führt.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?


Ja, die schnellen Schaltfunktionen ermöglichen den Einsatz in Hochfrequenzumgebungen bei gleichbleibender Leistung.

Was ist die Bedeutung der Gate-Source-Spitzenspannung?


Die maximale Gate-Source-Spannung von ±16 V gewährleistet einen sicheren Betrieb und verhindert einen Durchbruch des Gate-Oxids, wodurch die Integrität des Transistors geschützt wird.

Ist sie mit der Standard-Leiterplattenmontage kompatibel?


Ja, er ist für die Durchsteckmontage konzipiert und lässt sich leicht in Standard-Leiterplattenlayouts integrieren, was den Ingenieuren eine unkomplizierte Installation ermöglicht.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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