onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,5 A 90 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
145-4602
Herst. Teile-Nr.:
FDU7N60NZTU
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,5 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Serie

UniFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,25 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

90 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Breite

2.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.8mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

7.57mm

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