Infineon CoolMOS™ CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
906-4384
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R190CFDFKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17,5 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS™ CFD

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5.21mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

68 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Höhe

21.1mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon CoolMOS™ MOSFET der CFD-Serie, 17,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 151 W maximale Verlustleistung - IPW65R190CFDFKSA1


Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet effiziente Schaltfunktionen, die die Funktionalität elektronischer Schaltungen verbessern. Er wird häufig bei der Energieumwandlung und -verwaltung eingesetzt und bewältigt hohe Spannungen und Ströme, was ihn für zahlreiche Automatisierungs- und Elektroinstallationsprojekte unverzichtbar macht. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 700 V erfüllt er die strengen Anforderungen moderner Elektronikdesigns.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 17,5 A für zuverlässige Leistung
• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 190 mΩ, der die Effizienz erhöht
• Arbeitet bei einer maximalen Temperatur von +150°C für eine lange Lebensdauer
• Verwendet einen Anreicherungsmodus, der eine präzise Steuerung des Stromflusses ermöglicht
• Wird in einem vielseitigen TO-247-Gehäuse geliefert, das eine einfache Implementierung und Integration ermöglicht
• Geeignet sowohl für Durchsteck- als auch für automatisierte Montageprozesse

Anwendungsbereich


• Verwendung in Systemen für erneuerbare Energien wie Solarwechselrichtern
• Eingesetzt in Ladestationen für Elektrofahrzeuge zur effizienten Energieübertragung
• Integriert in industrielle Automatisierungssysteme zur effektiven Motorsteuerung
• Anwendbar in Stromversorgungsschaltungen, die hocheffiziente Leistungs-MOSFETs erfordern
• Geeignet für Unterhaltungselektronik, die kompakte und zuverlässige Hochspannungsschalter benötigt

Welche Bedeutung hat die maximale Gate-Schwellenspannung?


Die maximale Gate-Schwellenspannung ist wichtig, um den effektiven Betrieb des Bauelements zu gewährleisten, indem sie die für das Schalten erforderliche Mindestspannung festlegt und so die Zuverlässigkeit der Schaltungsentwürfe verbessert.

Kann diese Komponente mit hohen Temperaturen umgehen?


Ja, er kann sicher bei Temperaturen bis zu +150 °C betrieben werden und eignet sich daher für Hochtemperaturanwendungen wie Automobil- und Industriesysteme.

Wie kommt der niedrige Rds(on) meinem Schaltungsentwurf zugute?


Ein niedrigerer Rds(on) verringert die Verlustleistung während des Betriebs, verbessert den Gesamtwirkungsgrad von Stromumwandlungssystemen und minimiert die Wärmeentwicklung, was für die Zuverlässigkeit entscheidend ist.

Welche Art von elektrischen Anschlüssen unterstützt er?


Es unterstützt die Durchsteckmontage und ist damit sowohl mit automatisierten Montagelinien als auch mit traditionellen Lötverfahren kompatibel.

Ist es mit Hochspannungsanwendungen kompatibel?


Ja, er wurde speziell für Hochspannungsanwendungen mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 700 V entwickelt, was seine Vielseitigkeit in verschiedenen anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links