Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 11,4 A 104,2 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7646
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R310CFDFKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11,4 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS CFD

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

310 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

104,2 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

41 nC @ 10 V

Breite

21.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

16.13mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

5.21mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Verwandte Links