Infineon CoolMOS CFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 43 A 391 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-8815
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 124-8815
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 167nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 391W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 167nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 391W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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