Infineon CoolMOS C6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 151 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6713
Herst. Teile-Nr.:
IPI65R190C6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS C6

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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