STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
876-5676
Herst. Teile-Nr.:
STI40N65M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

32 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

MDmesh M2

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

99 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

56,5 nC bei 10 V

Länge

10.4mm

Höhe

9.35mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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