STMicroelectronics MDmesh M2 STI40N65M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

RS Best.-Nr.:: 876-5676
Herst. Teile-Nr.:: STI40N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STI40N65M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Herst. Teile-Nr.:: STI40N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V 32 A MDmesh Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	32 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	I2PAK (TO-262)
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	56,5 nC bei 10 V
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	9.35mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V

STMicroelectronics MDmesh M2 STI40N65M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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