STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 25 W, 3-Pin

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,06 €

(ohne MwSt.)

14,35 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +2,412 €12,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
786-3647
Herst. Teile-Nr.:
STF18N60M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.28Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

16.4mm

Länge

10.4mm

Breite

4.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links