STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 52 A 350 W, 3-Pin STW56N60M2

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876-5720
Herst. Teile-Nr.:
STW56N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

52A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

350W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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