- RS Best.-Nr.:
- 791-7813
- Herst. Teile-Nr.:
- STP18N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Serie | MDmesh M2 |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 110 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 10.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21,5 nC @ 10 V |
Höhe | 15.75mm |
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