STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 792-5694
Herst. Teile-Nr.:: STB13N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,088 €

(ohne MwSt.)

2,485 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	2,088 €	10,44 €
25 - 45	1,984 €	9,92 €
50 - 120	1,786 €	8,93 €
125 - 245	1,608 €	8,04 €
250 +	1,526 €	7,63 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 792-5694
Herst. Teile-Nr.:: STB13N60M2
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.35mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm