STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin TO-263

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792-5694
Herst. Teile-Nr.:
STB13N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh M2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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