STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-6548
Herst. Teile-Nr.:: STB13N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STB13N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

1,041 €

(ohne MwSt.)

1,239 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	1,041 €	1.041,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-6548
Herst. Teile-Nr.:: STB13N60M2
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.35mm
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C