STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 786-3580
Herst. Teile-Nr.:: STB6N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 786-3580
Herst. Teile-Nr.:: STB6N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STB6N60M2, STD6N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,5 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	60 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	9.35mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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