STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 876-5727
Herst. Teile-Nr.:: STW40N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: STW40N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STW40N65M2 N-channel 650 V 32 A MDmesh Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	32 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	56,5 nC bei 10 V
Breite	5.15mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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