STMicroelectronics MDmesh M2 STF10N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 786-3637
Herst. Teile-Nr.:: STF10N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STF10N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

0,974 €

(ohne MwSt.)

1,159 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	0,974 €	4,87 €
25 - 45	0,926 €	4,63 €
50 - 120	0,832 €	4,16 €
125 - 245	0,75 €	3,75 €
250 +	0,712 €	3,56 €

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RS Best.-Nr.:: 786-3637
Herst. Teile-Nr.:: STF10N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STF10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,5 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220FP
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	25 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	16.4mm

STMicroelectronics MDmesh M2 STF10N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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