STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 829-4433
Herst. Teile-Nr.:: STP5N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 829-4433
Herst. Teile-Nr.:: STP5N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STD5N60M2, STP5N60M2, STU5N60M2, N-Channel 600V, 1.26 Ohm typ., 3.5A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,5 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,4 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,5 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 3,5 A 45 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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