STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 5 A 60 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-6995
Herst. Teile-Nr.:
STP7N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

950 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

60 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,8 nC @ 10 V

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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