STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 85 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 786-3763
Herst. Teile-Nr.:: STP10N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 85 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 786-3763
Herst. Teile-Nr.:: STP10N60M2
Marke:: STMicroelectronics

ST*10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,5 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	85 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13,5 nC @ 10 V
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.75mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 85 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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