STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-8078
Herst. Teile-Nr.:: STW28N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247

Voraussichtlich ab 20.02.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

2,587 €

(ohne MwSt.)

3,079 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	2,587 €	77,61 €
60 - 120	2,069 €	62,07 €
150 +	1,862 €	55,86 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-8078
Herst. Teile-Nr.:: STW28N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STB28N60M2, STP28N60M2, STW28N60M2, N-Channel 600V, 0.135 Ohm typ., 22A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 Packages
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	22 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	150 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	170 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Länge	15.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh M2 STW28N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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