STMicroelectronics Einfach MDmesh M2 N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 4.5 A 60 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-6980
Herst. Teile-Nr.:
STB6N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25V, -25V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.35mm

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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