STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 792-5707
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 792-5707
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60M2
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Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	280 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	9.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	21,5 nC @ 10 V
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C