STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-6550
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

2870 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

1,242 €

(ohne MwSt.)

1,478 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	1,242 €	1.242,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 165-6550
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2, N-Channel 600V, 0.255 Ohm typ., 13A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	280 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	9.35mm
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	21,5 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh M2 STB18N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Verwandte Produkte