Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6779
Herst. Teile-Nr.:
IPI80N06S208AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

OptiMOS™

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

86 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.4mm

Höhe

9.25mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

RoHS Status: Nicht zutreffend

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