Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 80 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6779
Herst. Teile-Nr.:
IPI80N06S208AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

OptiMOS™

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10mm

Breite

4.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

86 nC bei 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.25mm

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
grünen Paket (bleifrei)
Extrem niedriger RDS(on)


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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