Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
857-6722
Herst. Teile-Nr.:
IPI65R380C6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10,6 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

CoolMOS™ C6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.45mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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