Infineon CoolMOS™ C6 IPI65R380C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

RS Best.-Nr.:: 857-6722
Herst. Teile-Nr.:: IPI65R380C6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C6 IPI65R380C6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 500)

1,024 €

(ohne MwSt.)

1,219 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
500 - 500	1,024 €	512,00 €
1000 - 2000	0,998 €	499,00 €
2500 +	0,973 €	486,50 €

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RS Best.-Nr.:: 857-6722
Herst. Teile-Nr.:: IPI65R380C6XKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10,6 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Gehäusegröße	I2PAK (TO-262)
Serie	CoolMOS™ C6
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.57mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Länge	10.36mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	9.45mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C