Infineon CoolMOS E6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-6930
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190E6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS E6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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