Infineon CoolMOS E6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
857-8615
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R190E6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

CoolMOS E6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

34 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.85mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Länge

10.65mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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