Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 14,1 A 98 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
892-2267
Herst. Teile-Nr.:
IPP50R380CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14,1 A

Drain-Source-Spannung max.

550 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS™ CE

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

98 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24,8 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Diodendurchschlagsspannung

0.85V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14,1A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 98W maximale Verlustleistung - IPP50R380CEXKSA1


Dieser MOSFET ist auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Die CoolMOS™-Technologie verbessert die Schaltleistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste, was für verschiedene industrielle Anwendungen von Vorteil ist und das Energiemanagement erheblich verbessert.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) reduziert Leitungsverluste, was zur Effizienz beiträgt
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
• Vereinfacht die Integration in bestehende Systeme durch einfache Ansteuerbarkeit
• Flexible Gate-Schwellenspannung erweitert die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungen
• Robustes Gehäusedesign gewährleistet Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Leistungsfaktorkorrekturstufen (PFC)
• Funktioniert gut in hart schaltenden PWM-Stufen
• Anwendbar in der Resonanzschaltung für LCD- und PDP-Fernsehgeräte
• Wirksam bei der Beleuchtung für effizientes Energiemanagement
• Verwendet in Stromversorgungen für PCs und Automatisierungssysteme

Was ist die optimale Gate-Source-Spannung für den Betrieb?


Der MOSFET funktioniert effektiv mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±30 V, wodurch die Steuerung für verschiedene Anwendungen optimiert wird.

Wie verhält sich diese Komponente in thermischen Umgebungen?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 98 W arbeitet er effizient zwischen -55°C und +150°C und ist damit für eine Reihe von thermischen Bedingungen geeignet.

Kann dieses Bauteil gepulste Ströme verarbeiten?


Er kann Impulsströme von bis zu 32,4 A bewältigen und unterstützt damit kompetent transiente Bedingungen, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.

Welche Vorteile bietet die Superjunction-Technologie?


Die Superjunction-Technologie senkt sowohl die Schalt- als auch die Leitungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verlängert die Lebensdauer der Bauelemente in Anwendungen.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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