Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 14,1 A 98 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
892-2267
Herst. Teile-Nr.:
IPP50R380CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14,1 A

Drain-Source-Spannung max.

550 V

Serie

CoolMOS™ CE

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

98 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24,8 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.85V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 14,1A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 98W maximale Verlustleistung - IPP50R380CEXKSA1


Dieser MOSFET ist auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten und zeichnet sich durch Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Die CoolMOS™-Technologie verbessert die Schaltleistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste, was für verschiedene industrielle Anwendungen von Vorteil ist und das Energiemanagement erheblich verbessert.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) reduziert Leitungsverluste, was zur Effizienz beiträgt
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
• Vereinfacht die Integration in bestehende Systeme durch einfache Ansteuerbarkeit
• Flexible Gate-Schwellenspannung erweitert die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungen
• Robustes Gehäusedesign gewährleistet Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Leistungsfaktorkorrekturstufen (PFC)
• Funktioniert gut in hart schaltenden PWM-Stufen
• Anwendbar in der Resonanzschaltung für LCD- und PDP-Fernsehgeräte
• Wirksam bei der Beleuchtung für effizientes Energiemanagement
• Verwendet in Stromversorgungen für PCs und Automatisierungssysteme

Was ist die optimale Gate-Source-Spannung für den Betrieb?


Der MOSFET funktioniert effektiv mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von ±30 V, wodurch die Steuerung für verschiedene Anwendungen optimiert wird.

Wie verhält sich diese Komponente in thermischen Umgebungen?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 98 W arbeitet er effizient zwischen -55°C und +150°C und ist damit für eine Reihe von thermischen Bedingungen geeignet.

Kann dieses Bauteil gepulste Ströme verarbeiten?


Er kann Impulsströme von bis zu 32,4 A bewältigen und unterstützt damit kompetent transiente Bedingungen, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.

Welche Vorteile bietet die Superjunction-Technologie?


Die Superjunction-Technologie senkt sowohl die Schalt- als auch die Leitungsverluste, erhöht den Gesamtwirkungsgrad und verlängert die Lebensdauer der Bauelemente in Anwendungen.

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