Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 18.5 A 127 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-8158
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP50R190CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8158
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- IPP50R190CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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