Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 30.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 897-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R280CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 304-44-434 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 304-44-434 | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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