Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 4.8 A 5 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
168-5922
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R1K4CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

830mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.7mm

Höhe

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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