Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
222-4687
Herst. Teile-Nr.:
IPN70R1K2P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

6.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.7mm

Höhe

1.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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