Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
222-4686
Herst. Teile-Nr.:
IPN70R1K2P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

6.3W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.7 mm

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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