Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 18.5 A 127 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
914-0227
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-440
Herst. Teile-Nr.:
IPP50R190CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

550V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

127W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Breite

4.57 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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