Toshiba Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
144-5214
Herst. Teile-Nr.:
TK30J25D,S1F(O
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-3PN

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.5mm

Höhe

20mm

Breite

4.5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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