Teile-Nr.

Toshiba Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TK30J25D,S1F(O TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 144-5214
Herst. Teile-Nr.:: TK30J25D,S1F(O
Marke:: Toshiba

Toshiba Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TK30J25D,S1F(O TO-3PN

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 144-5214
Herst. Teile-Nr.:: TK30J25D,S1F(O
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-3PN
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	100nC
	Maximale Verlustleistung Pd	260W
	Durchlassspannung Vf	-1.7V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	20mm
	Länge	15.5mm
	Breite	4.5 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-3PN
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC
	Maximale Verlustleistung Pd 260W
	Durchlassspannung Vf -1.7V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 20mm
	Länge 15.5mm
	Breite 4.5 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: JP

Toshiba Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 30 A 260 W, 3-Pin TK30J25D,S1F(O TO-3PN

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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