Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 415-354
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3878(F)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro Stück (In einer VPE à 2)**

2,855 €

(ohne MwSt.)

3,397 €

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
2 - 8	2,855 €	5,71 €
10 - 38	2,005 €	4,01 €
40 - 98	1,92 €	3,84 €
100 - 198	1,76 €	3,52 €
200 +	1,715 €	3,43 €

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 415-354
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3878(F)
Marke:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Gehäusegröße	TO-3PN
Serie	2SK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.8mm
Länge	15.9mm
Höhe	19mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba

Verwandte Produkte