Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 415-354
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,855 € | 5,71 € |
| 10 - 38 | 2,005 € | 4,01 € |
| 40 - 98 | 1,92 € | 3,84 € |
| 100 - 198 | 1,76 € | 3,52 € |
| 200 + | 1,715 € | 3,43 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 415-354
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3878(F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Serie | 2SK | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Höhe | 19mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Serie 2SK | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 60 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Höhe 19mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba