Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 200 mW, 3-Pin 2SK2009(F) SOT-346

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RS Best.-Nr.:
601-1983
Herst. Teile-Nr.:
2SK2009(F)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-346

Serie

2SK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

200mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Höhe

1.1mm

Breite

1.5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
JP

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba


MOSFET-Transistoren, Toshiba


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