Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini

RS Best.-Nr.:: 601-1961
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1062(F)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini

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RS Best.-Nr.:: 601-1961
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1062(F)
Marke:: Toshiba

Semi,Descrete,MOSFET,
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	0.2 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SMini
Serie	2SK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Verlustleistung max.	200 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Länge	2.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.5mm
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini

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