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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	500 mA
	Drain-Source-Spannung max.	30 V
	Gehäusegröße	SC-59
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	200 mW
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	1.8mm
	Länge	3mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Automobilstandard	AEC-Q101
	Höhe	1.2mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 500 mA
	Drain-Source-Spannung max. 30 V
	Gehäusegröße SC-59
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 200 mW
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 1.8mm
	Länge 3mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Automobilstandard AEC-Q101
	Höhe 1.2mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: JP

MOSFETs werden als Geräte mit extrem niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich als mobile Ausrüstung für geringen Stromverbrauch. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

4-V-AntriebstypN-Kanal-Kleinsignal-MOSFETKleines SMD-GehäuseBleifrei

ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 500 mA 200 mW, 3-Pin SC-59

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