Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
- RS Best.-Nr.:
- 185-580
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK4017(Q)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 185-580
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK4017(Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PW Form2 | |
| Serie | 2SK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PW Form2 | ||
Serie 2SK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 5.5mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba